通用半导体：SiC晶锭激光剥离全球首片最薄(130um)晶圆片下线
江苏通用半导体有限公司（原：河南通用智能装备有限公司）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研设备（碳化硅晶锭激光剥离设备）成功实现剥离出130um厚度的超薄SiC晶圆片。该设备可以实现6寸和8寸SiC晶锭的全自动分片，包含晶锭上料，晶锭研磨，激光切割，晶片分离和晶片收集的全自动工艺流程，晶片抛光后的形貌可以达到LTV≤2μm，TTV≤5μm，BOW≤10um，Warp≤20μm。
图：8英寸SiC晶锭激光全自动剥离设备
通用半导体自设立以来，一直在高端半导体设备领域深耕，并专注于激光隐切设备的研发和产业化应用，励志成为全球领先的激光微纳加工装备制造商。
通用半导体于2020年研发出国内首台半导体激光隐形切割机；2022年成功推出国内首台18纳米及以下SDBG激光隐切设备（针对3D Memory)；2023年成功研发国内首台8英寸全自动SiC晶锭激光剥离产线；2024年研制成功SDTT激光隐切设备（针对3D HBM）。
通用半导体表示，随着公司激光隐切设备产品覆盖度持续提升，市场应用规模的不断扩大，且公司持续保持高强度的研发投入，迭代升级各产品系列，满足客户在技术节点更新迭代过程中对高产能及更严格的技术性能指标的需求。
韩媒：美国“尖端”，中国“通用”，全球半导体竞争加剧！
韩媒：美国“尖端”，中国“通用”，全球半导体竞争加剧！
5月4日，韩国媒体《亚洲时报》发表文章称，美国正在吸引全球半导体企业的生产设施，并聚集尖端半导体制造相关能力，而中国也开始在通用半导体生产中寻找出路，中美半导体对立也在加深。
韩国业界称，由于中美竞争，全球半导体供应链也在迅速重组。
以2020年为基准，高端半导体制造的80%以上是在亚洲地区进行的。
美国在半导体设计、制造设备、软件、研发等高附加值领域占有很高的份额，但制造能力仅为12%。
美国最近向英特尔、台积电、三星电子发放补贴，吸引了大批高端半导体制造工厂，这显示了美国降低对国外生产依赖的野心。
就先进半导体而言，它几乎用于所有现代工业、商业和军事系统，包括智能手机、飞机、武器系统、互联网、电网等，因此也直接关系到国家安全。
在半导体行业，用于开发人工智能（AI）模型的AI半导体市场最近快速增长，并蔓延到国家间的主导权之争。美国试图遏制中国尖端半导体生产也与此有关。
中国在通用半导体市场上寻找机会，以对抗美国的牵制。
根据国际半导体产业协会（SEMI）去年第四季度统计的数据，2022-2026年间将有109个新的晶圆厂投入使用，其中在中国建立的工厂最多，为44个。是美国（18个）的2倍以上。
中国在获得超微细工程的核心——极紫外（EUV）设备方面遇到困难后，正集中精力获得通用半导体制造设备。中国正在建立半导体自给体系，增加DRAM出货量。
据Counterpoint Research称，去年中国半导体出货量同比增长31%。这占去年整个系统半导体销量的三分之一。
据标准普尔全球数据显示，在全球十大半导体企业的销售额中，中国所占比重达30%，超过了美国（25%）。
市场研究公司Trend Force表示，中国在通用半导体领域的全球份额预计将从去年的29%增至2027年的33%。越来越多的人认为，中国将以通用技术为基础，在半导体供应链中发挥核心作用。
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